12月18日，記者從碳一新能獲悉，公司集成人造SEI膜的碳系、硅系負(fù)極產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。公司稱，目前，碳一新能已建成萬(wàn)噸級(jí)集成人造SEI膜的碳系、硅系負(fù)極產(chǎn)線。
在此之前，公司與浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合，通過(guò)自主研發(fā)的生產(chǎn)設(shè)備結(jié)合新型氣相沉積工藝，在保證沉積均勻性的基礎(chǔ)上，建成了規(guī)?；a(chǎn)線。
據(jù)碳一新能介紹，公司用碳基體為框架結(jié)構(gòu)，結(jié)合氣相沉積技術(shù)，集成人造SEI膜技術(shù)，形成具有良好導(dǎo)電性能及網(wǎng)狀納米-亞納米尺寸的硅顆粒，制備得到的硅碳負(fù)極具有高容量、低膨脹、產(chǎn)氣少、長(zhǎng)循環(huán)、高倍率和高首效等優(yōu)勢(shì)。集成人造SEI膜技術(shù)可以將單壁碳納米管緊密結(jié)合在硅材料表面，通過(guò)與國(guó)內(nèi)頭部電芯客戶的合作開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了硅負(fù)極漿料中無(wú)須額外添加單壁碳管。該技術(shù)極大地降低硅負(fù)極的使用門檻，大幅降低硅系負(fù)極材料使用成本。
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